Vishay 推出采用小型热增强型 PowerPAK^®1212-8SCD 封装新款共漏极双 N 沟道 60V MOSFET。Vishay Siliconix SiSF20DN 是业内 R_S-S(ON) 的 60V 共漏极器件，专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC 转换器以及电源的功率密度和效率。

从而降低电源通道压降，减小功耗，提高效率。为提高功率密度，SiSF20DN 的 R_S1S2(ON)  面积乘积低于第二的替代 MOSFET  46.6%，甚至包括 6mm x 5mm 较大封装解决方案。

为节省 PCB 空间，减少元件数量并简化设计，器件采用优化封装结构，两个单片集成 TrenchFET® 第四代 n 沟道 MOSFET 采用共漏极配置。SiSF20DN 源极触点并排排列，加大连接提高 PCB 接触面积，与传统双封装型器件相比进一步减小电阻率。这种设计使 MOSFET 适合用于 24V 系统和工业应用双向开关，包括工厂自动化、电动工具、无人机、电机驱动器、白色家电、机器人、安防/监视和烟雾报警器。

SiSF20DN 进行了 100% Rg 和 UIS 测试，符合 RoHS 标准，无卤素。